| номер части | IRF8910PBF |
|---|---|
| Статус детали | Discontinued at Digi-Key |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Мощность - макс. | 2W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 0 | подробности | |
 |
IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | подробности | |
 |
IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | 0 | подробности | |
 |
IRF8113GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | подробности | |
 |
IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | подробности | |
 |
IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | подробности | |
 |
IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | подробности | |
 |
IRF820 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | - | 0 | подробности |
 |
IRF820A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | - | 0 | подробности |
