IRF8707GTRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
IRF8707GTRPBF P1
IRF8707GTRPBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF8707GTRPBF

номер части
IRF8707GTRPBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF8707GTRPBF.pdf IRF8707GTRPBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF8707GTRPBF
Статус детали Not For New Designs
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 760pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 11.9 mOhm @ 11A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты