IRF7601PBF

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
IRF7601PBF P1
IRF7601PBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF7601PBF

номер части
IRF7601PBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF7601PBF.pdf IRF7601PBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF7601PBF
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 650pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика Micro8™
Упаковка / чехол 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты