IRF7470PBF

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
IRF7470PBF P1
IRF7470PBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF7470PBF

номер части
IRF7470PBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF7470PBF.pdf IRF7470PBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF7470PBF
Статус детали Not For New Designs
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3430pF @ 20V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты