IRF6706S2TRPBF

MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
IRF6706S2TRPBF P1
IRF6706S2TRPBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF6706S2TRPBF

номер части
IRF6706S2TRPBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF6706S2TRPBF.pdf IRF6706S2TRPBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF6706S2TRPBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17A (Ta), 63A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1810pF @ 13V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 17A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика DIRECTFET S1
Упаковка / чехол DirectFET™ Isometric S1

сопутствующие товары

Все продукты