номер части | IRF5803D2TRPBF |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | Schottky Diode (Isolated) |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |