| номер части | IRF5305STRRPBF |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 55V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF530 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 | 0 | подробности | |
 |
IRF5305L | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 | 0 | подробности | |
 |
IRF5305LPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 | 0 | подробности | |
 |
IRF5305PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB | 5757 | подробности | |
 |
IRF5305SPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 1924 | подробности | |
 |
IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 3200 | подробности | |
 |
IRF5305STRR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IRF5305STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IRF530A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 | - | 0 | подробности |
 |
IRF530L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IRF530N,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB | 0 | подробности | |
 |
IRF530NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 | 0 | подробности |
