IRF40H210

MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
IRF40H210 P1
IRF40H210 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF40H210

номер части
IRF40H210
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF40H210.pdf IRF40H210 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF40H210
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 152nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5406pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-PQFN (5x6)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN

сопутствующие товары

Все продукты