| номер части | IPW65R110CFDFKSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3240pF @ 100V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 277.8W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO247-3 |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | 482 | подробности | |
 |
IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 | 325 | подробности | |
 |
IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | - | 1099 | подробности |
 |
IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | - | 4564 | подробности |
 |
IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 6370 | подробности |
 |
IPW65R045C7300XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | - | 6828 | подробности |
 |
IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3 | - | 2711 | подробности |
 |
IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | 173 | подробности | |
 |
IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | 0 | подробности | |
 |
IPW65R070C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | - | 730 | подробности |
 |
IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | - | 5976 | подробности |
 |
IPW65R080CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 | - | 1053 | подробности |
