номер части | IPW65R110CFDFKSA1 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3240pF @ 100V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 277.8W (Tc) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | PG-TO247-3 |
Упаковка / чехол | TO-247-3 |