IPU06N03LAGXK

MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
IPU06N03LAGXK P1
IPU06N03LAGXK P2
IPU06N03LAGXK P1
IPU06N03LAGXK P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPU06N03LAGXK

номер части
IPU06N03LAGXK
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPU06N03LAGXK.pdf IPU06N03LAGXK PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPU06N03LAGXK
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2653pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO251-3
Упаковка / чехол TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

сопутствующие товары

Все продукты