IPS090N03LGBKMA1

MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3
IPS090N03LGBKMA1 P1
IPS090N03LGBKMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPS090N03LGBKMA1

номер части
IPS090N03LGBKMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CHANNEL 30V 40A TO251-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPS090N03LGBKMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPS090N03LGBKMA1
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1600pF @ 15V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO251-3
Упаковка / чехол TO-251-3 Stub Leads, IPak

сопутствующие товары

Все продукты