IPP80P04P4L06AKSA1

MOSFET P-CH TO220-3
IPP80P04P4L06AKSA1 P1
IPP80P04P4L06AKSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPP80P04P4L06AKSA1

номер части
IPP80P04P4L06AKSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH TO220-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPP80P04P4L06AKSA1.pdf IPP80P04P4L06AKSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPP80P04P4L06AKSA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 104nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 6580pF @ 25V
Vgs (Макс.) +5V, -16V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 88W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO220-3-1
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты