IPP65R190CFDAAKSA1

MOSFET N-CH 650V TO-220-3
IPP65R190CFDAAKSA1 P1
IPP65R190CFDAAKSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPP65R190CFDAAKSA1

номер части
IPP65R190CFDAAKSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPP65R190CFDAAKSA1.pdf IPP65R190CFDAAKSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPP65R190CFDAAKSA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 17.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1850pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 151W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO-220-3
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты