IPP05N03LB G

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
IPP05N03LB G P1
IPP05N03LB G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPP05N03LB G

номер части
IPP05N03LB G
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPP05N03LB G.pdf IPP05N03LB G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPP05N03LB G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3209pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 94W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 60A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO220-3-1
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты