IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
IPP037N08N3GXKSA1 P1
IPP037N08N3GXKSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPP037N08N3GXKSA1

номер части
IPP037N08N3GXKSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPP037N08N3GXKSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPP037N08N3GXKSA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 117nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 8110pF @ 40V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 214W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.75 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO-220-3
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты