| номер части | IPI60R520CPAKSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 630pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 66W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO262-3 |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R165CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262 | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK | - | 0 | подробности |
|
IPI60R199CPXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R250CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | - | 1891 | подробности |
 |
IPI60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | - | 0 | подробности |
 |
IPI60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262 | - | 0 | подробности |
