| номер части | IPI50R350CP |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 550V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1020pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 89W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO262-3 |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI50CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 0 | подробности | |
 |
IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | 0 | подробности | |
 |
IPI50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3 | - | 0 | подробности |
|
IPI50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | - | 0 | подробности |
 |
IPI50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 17A TO262 | - | 487 | подробности |
 |
IPI50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3 | - | 485 | подробности |
 |
IPI50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3 | - | 482 | подробности |
 |
IPI50R350CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 10A TO-262 | - | 0 | подробности |
|
IPI50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | - | 0 | подробности |
 |
IPI50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 | - | 375 | подробности |
 |
IPI50R399CPXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 | - | 0 | подробности |
