Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPI084N06L3GXKSA1

номер части: IPI084N06L3GXKSA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH TO262-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPI084N06L3GXKSA1.pdf IPI084N06L3GXKSA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPI084N06L3GXKSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 34µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4900pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	79W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO262-3-1
Упаковка / чехол	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	IPI084N06L3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO262-3		0	подробности