Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPI070N08N3 G

номер части: IPI070N08N3 G
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPI070N08N3 G.pdf IPI070N08N3 G PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPI070N08N3 G
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 73µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	56nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3840pF @ 40V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	136W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 73A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO262-3
Упаковка / чехол	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
IPI070N06N G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3		0	подробности
IPI070N08N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3		0	подробности
IPI072N10N3GXK	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3	-	6755	подробности
IPI072N10N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3	-	0	подробности
IPI075N15N3GHKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3	-	0	подробности
IPI075N15N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3		250	подробности
IPI076N12N3GAKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3	-	0	подробности
IPI076N15N5AKSA1	Infineon Technologies	MV POWER MOS		0	подробности