| номер части | IPI034NE7N3 G |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 75V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 155µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 8130pF @ 37.5V |
| Vgs (Макс.) | - |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 214W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO262-3 |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A | 0 | подробности | |
 |
IPI032N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI032N06N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A | - | 380 | подробности |
 |
IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI037N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A | 0 | подробности | |
 |
IPI03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK | 0 | подробности |
