IPF10N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
IPF10N03LA G P1
IPF10N03LA G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPF10N03LA G

номер части
IPF10N03LA G
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPF10N03LA G.pdf IPF10N03LA G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPF10N03LA G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1358pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 10.4 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика P-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты