номер части | IPDD60R190G7XTMA1 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 4.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 210µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 718pF @ 400V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 76W (Tc) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | PG-HDSOP-10-1 |
Упаковка / чехол | 10-PowerSOP Module |