| номер части | IPD70N03S4L04ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 70A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±16V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3300pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 | - | 7500 | подробности |
 |
IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 | - | 148133 | подробности |
 |
IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPD70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPD70N10S3L-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPD70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPD70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | - | 0 | подробности |
|
IPD70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | 0 | подробности |
