Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD640N06LGBTMA1

номер части: IPD640N06LGBTMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPD640N06LGBTMA1.pdf IPD640N06LGBTMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPD640N06LGBTMA1
Статус детали	Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 16µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	13nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	470pF @ 30V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	47W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	IPD640N06LGBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 18A TO-252		0	подробности