BOM

IPD50R380CEAUMA1

MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные › IPD50R380CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1 P1
IPD50R380CEAUMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD50R380CEAUMA1

номер части
IPD50R380CEAUMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPD50R380CEAUMA1.pdf IPD50R380CEAUMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPD50R380CEAUMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24.8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 584pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.) 98W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 3.2A, 13V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты

Образ номер части Производители Описание PDF В наличии Посмотреть
IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 0 подробности
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 - 0 подробности
IPD50R280CE IPD50R280CE Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 0 подробности
IPD50R280CEATMA1 IPD50R280CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 0 подробности
IPD50R280CEAUMA1 IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 0 подробности
IPD50R280CEBTMA1 IPD50R280CEBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 - 12100 подробности
IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 0 подробности
IPD50R2K0CEBTMA1 IPD50R2K0CEBTMA1 Infineon Technologies CONSUMER 0 подробности
IPD50R380CE IPD50R380CE Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 0 подробности
IPD50R380CEATMA1 IPD50R380CEATMA1 Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 0 подробности
IPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 0 подробности
IPD50R380CEBTMA1 IPD50R380CEBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 - 6626 подробности