| номер части | IPD15N06S2L64ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 55V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 19A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 354pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 47W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 13A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD15N06S2L64ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_55/60V | - | 0 | подробности |
