Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD12CN10NGATMA1

номер части: IPD12CN10NGATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPD12CN10NGATMA1.pdf IPD12CN10NGATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPD12CN10NGATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	67A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	65nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4320pF @ 50V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 67A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
IPD12CN10NGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3		подробности
IPD12CN10NGBUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3	-	подробности
IPD12CNE8N G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3		подробности