Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD068P03L3GBTMA1

номер части: IPD068P03L3GBTMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPD068P03L3GBTMA1.pdf IPD068P03L3GBTMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPD068P03L3GBTMA1
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	91nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	7720pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	100W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 70A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
IPD068N10N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 90A		подробности
IPD068N10N3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3	-	подробности
IPD068P03L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3		подробности
IPD068P03L3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3		подробности