Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPC100N04S51R7ATMA1

номер части: IPC100N04S51R7ATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPC100N04S51R7ATMA1.pdf IPC100N04S51R7ATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPC100N04S51R7ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	83nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4810pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	115W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
IPC100N04S402ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 8TDSON	0	подробности
IPC100N04S51R2ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN	0	подробности
IPC100N04S51R7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN	0	подробности
IPC100N04S51R9ATMA1	Infineon Technologies	N-CHANNEL_30/40V	0	подробности
IPC100N04S52R8ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON	0	подробности
IPC100N04S5L1R1ATMA1	Infineon Technologies	N-CHANNEL_30/40V	0	подробности
IPC100N04S5L1R5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN	0	подробности
IPC100N04S5L1R9ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN	5000	подробности
IPC100N04S5L2R6ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON	0	подробности