| номер части | IPB80P03P4L07ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 5700pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | +5V, -16V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 88W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 6.9 mOhm @ 80A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB80P03P405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | 0 | подробности | |
 |
IPB80P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPB80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPB80P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | 0 | подробности | |
 |
IPB80P04P407ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | 0 | подробности | |
 |
IPB80P04P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | 0 | подробности | |
 |
IPB80P04P4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | 0 | подробности | |
 |
IPB80P04P4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | 0 | подробности |
