Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPB45N06S3L-13

номер части: IPB45N06S3L-13
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPB45N06S3L-13.pdf IPB45N06S3L-13 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPB45N06S3L-13
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	55V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	45A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 30µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	75nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3600pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±16V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	65W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	13.1 mOhm @ 26A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
IPB45N04S4L08ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2	-	подробности
IPB45N06S3-16	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 45A TO-263		подробности
IPB45N06S3L-13	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 45A TO-263		подробности
IPB45N06S409ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3		подробности
IPB45N06S409ATMA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3		подробности
IPB45N06S4L08ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3		подробности
IPB45P03P4L11ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH TO263-3		подробности