Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPB240N03S4LR8ATMA1

номер части: IPB240N03S4LR8ATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH TO263-7
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPB240N03S4LR8ATMA1.pdf IPB240N03S4LR8ATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPB240N03S4LR8ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	240A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 230µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	380nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	26000pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±16V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	0.76 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7-3
Упаковка / чехол	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPB240N03S4LR8ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-7	подробности
IPB240N03S4LR9ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-7	подробности
IPB240N04S41R0ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-7	подробности
IPB240N04S4R9ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO263-7	подробности