BOM

IPB180N06S4H1ATMA2

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные › IPB180N06S4H1ATMA2
IPB180N06S4H1ATMA2 P1
IPB180N06S4H1ATMA2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPB180N06S4H1ATMA2

номер части
IPB180N06S4H1ATMA2
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPB180N06S4H1ATMA2.pdf IPB180N06S4H1ATMA2 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPB180N06S4H1ATMA2
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 270nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 21900pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-3
Упаковка / чехол TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

сопутствующие товары

Все продукты

Образ номер части Производители Описание PDF В наличии Посмотреть
IPB180N03S4L01ATMA1 IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 - 0 подробности
IPB180N03S4LH0ATMA1 IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 - 0 подробности
IPB180N04S3-02 IPB180N04S3-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 3 подробности
IPB180N04S302ATMA1 IPB180N04S302ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 0 подробности
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 - 2000 подробности
IPB180N04S401ATMA1 IPB180N04S401ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 - 0 подробности
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 - 0 подробности
IPB180N04S4L01ATMA1 IPB180N04S4L01ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 0 подробности
IPB180N04S4LH0ATMA1 IPB180N04S4LH0ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 0 подробности
IPB180N06S4H1ATMA1 IPB180N06S4H1ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 0 подробности
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 0 подробности
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 0 подробности