IPB160N04S203ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S203ATMA1 P1
IPB160N04S203ATMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPB160N04S203ATMA1

номер части
IPB160N04S203ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPB160N04S203ATMA1.pdf IPB160N04S203ATMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPB160N04S203ATMA1
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 160A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 170nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5300pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 60A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-3
Упаковка / чехол TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

сопутствующие товары

Все продукты