| номер части | IPA65R660CFDXKSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 615pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO220 Full Pack |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 Full Pack |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | подробности | |
 |
IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | подробности | |
 |
IPA65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | подробности | |
 |
IPA65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 | - | 365 | подробности |
 |
IPA65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 | - | 0 | подробности |
 |
IPA65R110CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 16796 | подробности |
 |
IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | 0 | подробности | |
 |
IPA65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | 2938 | подробности | |
|
IPA65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 27237 | подробности |
 |
IPA65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | - | 0 | подробности |
 |
IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | 235 | подробности | |
 |
IPA65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | - | 767 | подробности |
