IFS100B12N3E4_B39

IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1
IFS100B12N3E4_B39 P1
IFS100B12N3E4_B39 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IFS100B12N3E4_B39

номер части
IFS100B12N3E4_B39
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IFS100B12N3E4_B39 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IFS100B12N3E4_B39
Статус детали Obsolete
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100A
Мощность - макс. 515W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.3nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты