| номер части | IDH10G65C5XKSA2 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 650V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 10A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.7V @ 10A |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 180µA @ 650V |
| Емкость @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-220-2 |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO220-2-1 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | 823 | подробности | |
 |
IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | подробности |
|
IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | подробности |
|
IDH10G65C5ZXKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | подробности |
|
IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SIC DIODES | - | 0 | подробности |
 |
IDH10S120AKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | - | 0 | подробности |
 |
IDH10S60CAKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 | - | 0 | подробности |
 |
IDH10SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 | 323 | подробности | |
 |
IDH10SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 | - | 16003 | подробности |
