Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IDC08S120EX1SA3

номер части: IDC08S120EX1SA3
производитель: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IDC08S120EX1SA3.pdf IDC08S120EX1SA3 PDF online browsing
семья: Диоды - выпрямители - одиночные

номер части	IDC08S120EX1SA3
Статус детали	Last Time Buy
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	7.5A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.8V @ 7.5A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	180µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F	380pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	Die
Пакет устройств поставщика	Sawn on foil
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
IDC08D120T6MX1SA2	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER	-	43906	подробности
IDC08S120EX1SA3	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE		0	подробности
IDC08S120EX7SA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE	-	0	подробности
IDC08S60CEX1SA2	Infineon Technologies	DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER		0	подробности
IDC08S60CEX1SA3	Infineon Technologies	DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER		0	подробности
IDC08S60CEX7SA1	Infineon Technologies	DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER		0	подробности