FZ1200R45KL3B5NOSA1

MODULE IGBT A-IHV190-4
FZ1200R45KL3B5NOSA1 P1
FZ1200R45KL3B5NOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FZ1200R45KL3B5NOSA1

номер части
FZ1200R45KL3B5NOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT A-IHV190-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FZ1200R45KL3B5NOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FZ1200R45KL3B5NOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 4500V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1200A
Мощность - макс. 13500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 280nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -50°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты