FZ1200R33KF2CNOSA1

MODULE IGBT A-IHV190-3
FZ1200R33KF2CNOSA1 P1
FZ1200R33KF2CNOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FZ1200R33KF2CNOSA1

номер части
FZ1200R33KF2CNOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT A-IHV190-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FZ1200R33KF2CNOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FZ1200R33KF2CNOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 3300V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 2000A
Мощность - макс. 14500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 4.25V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 12mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 150nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты