FP75R07N2E4BOSA1

IGBT MODULE VCES 600V 75A
FP75R07N2E4BOSA1 P1
FP75R07N2E4BOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FP75R07N2E4BOSA1

номер части
FP75R07N2E4BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FP75R07N2E4BOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FP75R07N2E4BOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 95A
Мощность - макс. -
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.6nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты