FF75R12YT3BOMA1

IGBT MODULE VCES 1200V 75A
FF75R12YT3BOMA1 P1
FF75R12YT3BOMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FF75R12YT3BOMA1

номер части
FF75R12YT3BOMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE VCES 1200V 75A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FF75R12YT3BOMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FF75R12YT3BOMA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация 2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100A
Мощность - макс. 345W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 5nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты