FF50R12RT4HOSA1

IGBT MODULE 1200V 50A
FF50R12RT4HOSA1 P1
FF50R12RT4HOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FF50R12RT4HOSA1

номер части
FF50R12RT4HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 50A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FF50R12RT4HOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FF50R12RT4HOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 50A
Мощность - макс. 285W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты