FF225R17ME4BOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 225A
FF225R17ME4BOSA1 P1
FF225R17ME4BOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FF225R17ME4BOSA1

номер части
FF225R17ME4BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FF225R17ME4BOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FF225R17ME4BOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация 2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 340A
Мощность - макс. 1500W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 3mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты