FD1000R17IE4DB2BOSA1

MODULE IGBT PRIME3-1
FD1000R17IE4DB2BOSA1 P1
FD1000R17IE4DB2BOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FD1000R17IE4DB2BOSA1

номер части
FD1000R17IE4DB2BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT PRIME3-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FD1000R17IE4DB2BOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FD1000R17IE4DB2BOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1390A
Мощность - макс. 6250W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 81nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты