| номер части | BSZ042N04NSGATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 36µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3700pF @ 20V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ042N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | - | 4817 | подробности |
 |
BSZ042N04NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | - | 0 | подробности |
 |
BSZ042N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON | - | 0 | подробности |
