BSM200GB170DLCHOSA1

IGBT 2 MED POWER 62MM-1
BSM200GB170DLCHOSA1 P1
BSM200GB170DLCHOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSM200GB170DLCHOSA1

номер части
BSM200GB170DLCHOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BSM200GB170DLCHOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSM200GB170DLCHOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 400A
Мощность - макс. 1660W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 15nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты