BSC130P03LSGAUMA1

MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
BSC130P03LSGAUMA1 P1
BSC130P03LSGAUMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSC130P03LSGAUMA1

номер части
BSC130P03LSGAUMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BSC130P03LSGAUMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSC130P03LSGAUMA1
Статус детали Not For New Designs
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73.1nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±25V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3670pF @ 15V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN

сопутствующие товары

Все продукты