| номер части | BSC080P03LSGAUMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16A (Ta), 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 122.4nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±25V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6140pF @ 15V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 89W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC080N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | - | 0 | подробности |
 |
BSC080N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | - | 10000 | подробности |
 |
BSC080P03LS G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 | - | 5000 | подробности |
 |
BSC080P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 | - | 71194 | подробности |
