| номер части | BSC016N06NSTATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 95µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6500pF @ 30V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 167W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 FL |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC016N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 | - | 0 | подробности |
 |
BSC016N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | - | 20000 | подробности |
 |
BSC016N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 25000 | подробности |
 |
BSC016N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 64567 | подробности |
 |
BSC016N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 | - | 5000 | подробности |
|
BSC016N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 43893 | подробности |
